110V体硅LDMOS器件研究.利用SILVACOTCAD工艺和器件软件研究了110V体硅LDMOS器件的几个重要参数对器件耐压特性的影响.研究结果表明,漂移区剂量存在一个最优值,过大将导致漂移区难以耗尽而使得沟道与漂移区边界发生击穿,而过小则导致漂移区迅速耗尽而在...
硅光子芯片工艺与设计发展与挑战.doc,硅光子芯片工艺与设计发展与挑战摘要：针对硅光子器件的特殊性提出了与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容的硅光工艺开发的基本原则和关键问题。相比于工艺，硅光在芯片设计的方法和流程方面面临更多的挑战，例如硅光子技术与CMOS工艺兼容…
基于体硅工艺的静电致动微夹持器制作工艺分析.介绍了一种基于体硅工艺的大尺寸、大深宽比梳状静电致动微夹持器的制作工艺。.对微夹持器制作中的关键工艺进行分析,重点分析ICP蚀刻工艺的蚀刻时间对结构的影响,总结导致器件失效的原因,探讨了减少失效的...
硅基载流子注入型全内反射光波导开关的研究,集成光学,硅基CMOS工艺,全内反射光开关,热光效应。光开关是光交换等系统中的关键器件。长期以来,人们提出了很多制作光开关的方法。其中全内反射光开关,以其数字响应、波长偏振...
锗硅HBT器件的低温直流特性研究.2011年11月第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议中国三亚锗硅HBT器件的低温直流特性研究（清华大学微电子学研究所，北京100084）摘要：研究了在低温下锗硅HBT器件的直流特性变化特点。.与硅器件相比，锗硅器件在...
硅微电子技术物理极限的挑战,硅微电子技术,CMOS,基本物理极限,实际物理限制,量子电子器件。本文对硅微电子技术在发展过程中随着半导体器件的不断缩小和芯片集成度的不断提高,所面临着一系列的挑战进行了回顾和展望,并从...
1.4研究内容及论文框架本论文围绕硅基亚波长结构光子器件的反向优化设计展开，致力于解决优化算法与器件结构在数值计算开销与工艺制造难度方面带来的一系列问题。论文提出了一种高效的可用于硅基亚波长结构光子器件反向优化...
MRM光器件本身呈电容性负载，便于深亚微米CMOS工艺下与数字电路的集成，是最有可能实现光电单片集成的方案之一。然而长期以来，国内惯性思维认为该方案波长稳定问题难以跨越，距离实用化遥遥无期，也不愿投入过多精力开展研究；而已开展的研究多集中于单独微环光器件的优化，与电路集…
期刊/会议论文>硅基波导光栅耦合器件的研究分类号O438学号09020034UDC000密级理学硕士学位论文硅基波导光栅耦合器件的研究硕士生姓名国防科学技术大学研究生院二〇一一年十月论文书脊（此页只是书脊样式，学位论文不需要印刷本页...
论文中的研究成果，均基于国产硅基工艺流片，电子科技大学为唯一单位。在2020年5月刊出的IEEEJSSC上，该团队钱慧珍博士发表了题为“A20-32-GHzquadraturedigitaltransmitterusingsynthesizedimpedancevariationcompensation”的期刊论文，钱慧珍、罗讯为共同通讯作者。
3、硅基材料成为硅材料工业发展的重要方向随着光电子和通信产业的发展,硅基材料成为硅材料工业发展的重要方向。硅基材料是在常规硅材料上制作的,是常规硅材料的发展和延续,...
以废旧硅芯片回收高纯硅的工艺研究...文档格式:.pdf文档页数:4页文档大小:154.05K文档热度:文档分类:论文--期刊/会议论文文档标签:废旧芯片回收高...
3量子电子器件(QED)和以分子原子自组装技术为基础的纳米电子学将带来崭新的领域在上节我们谈到的以尺寸不断缩小的硅基CMOS工艺技术,可称之为“scalingdown”,...
Doc-0314A3;本文是“论文”中“论文指导或论文设计”的论文的论文参考范文或相关资料文档。正文共4,615字,word格式文档。内容摘要:硅基关键器件与工艺研究,通道...
1.3本论文主要研究内容本论文分析单晶硅的力学性质、断裂条件,通过ABAQUS研究硅片的裂纹扩展情况,探索合理的应力引入方案,设计几种硅基瞬态器件并通过...
第五章硅基瞬态器件工艺实现研究第57-68页5.1硅片刻蚀第57-60页5.1.1湿法刻蚀第57-58页5.1.2干法刻蚀第58页5.1.3硅片深槽刻蚀第58-60页5.2电镀铜简介第60-6...
2018-10-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)页数:共7页页码:8-14相关文献相关论文(和本文研究主题相同或者相近的论文)[1]蔡进,张慧娟,王成...
硅器件工艺中的铁污染及其对器件特性的影响张德贤【摘要】:文中研究了硅器件的异常产生电流和异常特性,揭示了它们的产生原因均是硅器件中有铁污染。【作者单位】:西安交通...
(2016)12-0046-03DOI:10.19339/j.issn.1674-2583.2016.12.011中文引用格式:陈钢辉,李骏,张兆新.浅谈硅芯片工艺的极限以及发展方向【J].集成电路应用...
摘要:面向互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容的硅基光互连体系,研制了包括光波导、光栅耦合器、刻蚀衍射光栅、偏振旋转分束器、光频梳以及3D互连新器件等的硅...