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由图1靶材衍射峰半高宽计算可得靶材晶粒尺寸D2为47.6nm。由此可以得出结论，薄膜晶面衍射峰宽化是PVD薄膜晶粒细小的原因之一。而用磁控溅射法出的薄膜晶粒尺寸小于金属靶材晶粒尺寸，这是因为磁控溅射法薄膜时，真空室中温度较低，基片未经过加热处理，使达到基底表面的金属粒…
3结论电子束蒸发和磁控溅射制Al膜是半导体器件电较生产中常用的两种方法，通过理论与实验分析，并对样品进行了膜厚、附着力、致密性，电导率、折射率等指标的综合测试，实验表明：电子束蒸发制得的Al薄膜厚度的可控性和重复性较差及分散度非常大
磁控溅射可以分为直流磁控溅射和射频磁控溅射，射频磁控溅射中，射频电源的频率通常在5～30MHz。溅射过程中还可以同时通入少量活性气体（如氧气），使它和靶材原子在基片上形成化合物薄膜（氧化物薄膜），这就是反应溅射。
大小：180.50KB.《磁控溅射法薄膜材料实验报告.doc》由会员分享，可在线阅读，更多相关《磁控溅射法薄膜材料实验报告.doc（7页珍藏版）》请在新文库网上搜索。.1、实验一磁控溅射法薄膜材料1、实验目的1、详细掌握磁控溅射薄膜的原理和...
采用磁控溅射法，通过在绝缘体长直管道外表面安装金属屏幕罩来提供同轴电场的方法，解决了镀膜均匀性的问题。镀膜样品Ti、N比在0.9～1.1范围内，膜厚为100nm左右，附着力达到要求，总体满足设计指标，完成了CSNS四极陶瓷真空盒样机的镀膜。
磁控溅射法金属薄膜的工艺参数详解.ppt,总结工艺参数的改变对薄膜厚度和紫外可见光透过率有显著影响，合理控制参数，对于各种理想薄膜有非常重要的意义。致谢特在此感谢崔金刚老师、李景奎老师以及陈凯同学对我论文的指导和帮助。
磁控溅射镀膜原理及工艺.ppt,在高压作用下Ar原子电离成为Ar+离子和电子，产生等离子辉光放电，电子在加速飞向基片的过程中，受到垂直于电场的磁场影响，使电子产生偏转，被在靠近靶表面的等离子体区域内，电子以摆线的方式沿着靶表面前进，在运动过程中不断与Ar原子发生碰撞，电离...
而利用灯丝发射的热电子，经阳极加速获得动能后轰击处于蒸发材料的电子束蒸发蒸镀法，可以制作高熔采用磁控溅射法在钢材表面镀钛膜研究点和高纯的薄膜，是高真空镀钛膜技术中是一种新颖有效的蒸镀方法。.随后，在19世纪中期，科学家们还发明了...
采用中频磁控反应溅射工艺进行了氮化铝薄膜的，对沉积速率、晶体结构和表面形貌与氮气流量和溅射功率之间的变化关系进行了研究。结果表明，通过调节N2流量和溅射功率选择性地获得非晶态和沿着c轴方向择优生长的晶态AlN薄膜。在化合物沉积模式下，增加溅射功率和增加反应气体流量...
3结论电子束蒸发和磁控溅射制Al膜是半导体器件电极生产中常用的两种方法，通过理论与实验分析，并对样品进行了膜厚、附着力、致密性，电导率、折射率等指标的综合测试，实验表明：电子束蒸发制得的Al薄膜厚度的可控性和重复性较差及分散度较大;Al
实验一一、实验目的磁控溅射法薄膜材料1、详细掌握磁控溅射薄膜的原理和实验程序;2、出一种金属膜,如金属铜膜;3、测量金属膜的电学性能和光学性能;4、...
核122011011723指导老师:王合英2013-5-24【摘要】本实验根据气体辉光放电和磁场约束电子运动的原理,运用真空系统和磁控溅射镀膜技术,测量了基片加热温度和...
磁控溅射法薄膜材料实验报告磁控溅射法薄膜材料实验报告实验一磁控溅射法薄膜材料一、实验目的1、详细掌握磁控溅射薄膜的原理和实验程序;...
指导老师:王合英2013-5-24【摘要】本实验根据气体辉光放电和磁场约束电子运动的原理,运用真空系统和磁控溅射镀膜技术,测量了基片加热温度和真空度变化的...
负偏压增大对沉积速率影响较小,但有利于提高薄膜附着力.随沉积时间延长,薄膜附着力降低.在氢气气氛下进行850℃×1h的后续热处理,能够促进扩散层的形成,明显提高镍薄膜的附着...
这个问题，需要看你的实验条件才能分析！单纯看着两个图得不出什么好结论！有可能是溅射功率太大，基体...
浙江理工大学物理实验报告薄膜技术及应用姓名:刘彬学号:200920101017班级:应用化学物物理实验室室实验名称:Cu3N薄膜的组别:1日期:2010年12月20日成绩...
采用PhilipsX′ymbolbB@Pert型X射线衍射(XRD)仪分析样品的物相结构;利用LEO-1530VP型场发射扫描电镜(FESEM)观察薄膜涂层表面和断面形貌及涂层厚度。3、结论(...
摘要:普通玻璃难以控制太阳能的辐射,必须对玻璃表面进行处理,于是产生了多种玻璃镀膜方法,在众多镀膜工艺中磁控溅射技术应用领域最为广泛。磁控溅射技术能...
中频磁控溅射AlN薄膜的电学性能研究null布球项目可行性报告《十二五规划》布球项目可行性报告《十二五规划》发改委立项批地银行融资环评null可行性研究报告...