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磁控溅射法ZnS多晶薄膜的报道较少，而磁控溅射设备投资少，工艺简单，适合批量生产，具有广泛的发展前景．在已有的报道中，磁控溅射法ZnS多晶薄膜主要讨论了工作气压、退火温度等对薄膜质量的影响【I剐．
磁控溅射ZnS基透明导电薄膜及其光电性能研究.【摘要】：具有低电阻率及高透光率的ZnS基透明导电薄膜,在液晶显示器,太阳能电池和有机发光器件等领域具有广阔的应用前景。.针对目前市场上应用的透明导电薄膜成本高和光电性能低的问题,本论文以ZnS基...
磁控溅射法ZnO薄膜的和光学性能研究1．2．2ZnO薄膜的压电高密度、定向生长的ZnO薄膜具有良好的压电性质，如高机电藕合系数和低介电常数。.Zayer等人I”）的研究表明，利用射频磁控溅射法在200＂C的Si基片上沉积的C轴择优取向的ZnO薄膜具有很好的压电性...
西北大学硕士学位论文磁控溅射法氧化锌薄膜的和光学性能研究姓名：朱冠芳申请学位级别：硕士专业：光学指导教师：姚合宝20080605西北大学硕士论文摘要紫外波段激光器在信息显示和信息存储方面，具有存储密度高，反应速度快等特点，特别是在海底探测、紫外通讯、光存储、诊断...
2014磁控溅射镀膜技术文献综述论文.doc,磁控溅射镀膜技术文献综述摘要因现代科技发展的需求，真空镀膜技术得到了迅猛发展。镀膜技术可改变工件表面性能，提高工件的耐磨损、抗氧化、耐腐蚀等性能，延长工件使用寿命，具有很高的经济价值。
本论文采用磁控溅射法In2Se3薄膜。.研究了溅射功率、衬底温度、工作气压、退火条件对薄膜相结构、成分、微观形貌和厚度的影响,实现了对薄膜透过率和光学带隙的调控。.研究结果表明：.1.溅射功率对薄膜的成分有显著影响,功率超过80W才能出成分...
磁控溅射法NiCr薄膜毕业论文开题报告.doc,苏州科技学院毕业论文开题报告论文题目磁控溅射法NiCr薄膜院系数理学院专业应用物理学系学生姓名赵春武学号0920112208指导教师沈娇艳2013年月日1．研究的背景、目的及意义背景：电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩…
微颗粒表面磁控溅射镀膜研究.俞晓正.【摘要】：在粉体颗粒表面镀薄膜可显著增强其应用功效。.磁控溅射沉积作为一种高质量的镀膜方法,也逐渐被应用于粉体颗粒表面镀膜。.本论文根据磁控溅射及粉体颗粒的特点,设计并研制了一套微颗粒磁控溅射镀膜...
我用射频磁控溅射，溅射Al靶，功率试过从80W增加到200W，时间为两小时。能起辉，但石英基片上没任何东西。之前反应溅射锌靶镀氧化锌，能镀出氧化锌，但怎么都不厚，而直接溅射锌（同一靶材），却没有沉积锌。Lasteditedbyqiuzcon2012-3
反应磁控溅射法氮化铝钪薄膜.为了出压电性能良好、c轴择优生长的氮化铝钪压电薄膜,本文利用脉冲直流反应磁控溅射法了几组氮化铝钪薄膜,通过控制变量,并利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和压电系数测试仪等测试设备,研究了气体流量、功率...
ZnSe薄膜可否用磁控溅射来做?我查文献的时候,没发现有人用磁控溅射来做ZnSe薄膜,不知有没有虫友做过?回复此楼»本主题相关价值贴推荐,对您同样有帮助:磁控溅射镀氧化钛薄膜...
【精品】毕业论文优秀毕业论文本科论文专业学术论文参考文献资料凝聚态物理专业优秀论文中频非平衡磁控溅射DLC膜的工艺研究关键词类金刚石薄膜非...
化学浴沉积ZnSe薄膜及其光学特性研究,陈良艳,张道礼,ZnSe作为重要的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体,在蓝绿光发射器件、非线性光电器件、红外器件以及薄膜太阳能电池等方面...
疼权将学位论文戆抟题和摅簧汇缝爨J暖.保密装学往论文在学位论文作者签名:{镟最导师签名:日期:华东师范大学硕士学位论文(2006年)论文揍要使用磁控溅射技术制...
内容提示:西北大学硕士学位论文磁控溅射法氧化锌薄膜的和光学性能研究姓名:朱冠芳申请学位级别:硕士专业:光学指导教师:姚合宝20080605西北大学硕士论文摘...
西北民族大学电子材料国家民委重点实验室,甘肃兰州730030[4]摘要采用射频反应磁控溅射法在玻璃衬底上...自从1997年Tang[1]等发现ZnO薄膜具...
【摘要】:ZnSe是一种宽禁带的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,适宜作为光电器件的功能层。通过磁控溅射方法了ZnSe薄膜并进行了掺杂改性。在溅射气体中通入N2的条件下了ZnSe掺N薄膜...
2.ZnSe晶体生长、掺Cr2+:ZnSe晶体的及晶体缺陷和光谱性能的研究。采用温度梯度法(TGT)生长了直径为32mm大尺寸ZnSe晶体。对生长出的ZnSe单晶进行了缺陷研究和光学性能...
ZnSe薄膜的和掺杂研究.pdf,第13届中国光伏大会(CPVC13)论文集ZnSe薄膜的及掺杂研究朱喆,高静静,罗光灿,武莉莉,李卫,冯良桓,张静全,黎兵,曾广根,...
ZnSe薄膜的及掺杂研究李卫,文灿,朱喆,张静全,武莉莉【摘要】摘要:ZnSe是一种宽禁带的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,适宜作为光电器件的功能层。通过磁控溅射方法了ZnSe薄...